• مشکی
  • سفید
  • سبز
  • آبی
  • قرمز
  • نارنجی
  • بنفش
  • طلایی

همه

متن

فیلم

صدا

تصویر

دانلود

Persian
Persian
کوردی
العربیة
اردو
Türkçe
Русский
English
Français

مرور بخشها

    دین

    زندگی

    جامعه

    فرهنگ

صفحه اصلی تبیان شبکه اجتماعی مشاوره آموزش فیلم صوت تصاویر حوزه کتابخانه دانلود وبلاگ فروشگاه اینترنتی
انجمن ها > انجمن برق > صفحه اول بحث
لطفا در سایت شناسائی شوید!
برق (بازدید: 10289)
mahdavi3d
408 بحث
پنج شنبه 10/4/1389 - 14:46 -0 تشکر 208497
کاربردهای نانو در الکترونیک

در این مبحث، به اخبار و مطالب مربوط به کاربردهای فن آوری نانو در زمینه الکترونیک می پردازیم.

 ما مي توانيم ....

mahdavi3d
408 بحث
پنج شنبه 25/9/1389 - 19:7 - 0 تشکر 263065

سرعت هارددیسك ها ۱۰۰ هزار بار افزایش می یابد      



فرض كنید كامپیوتری مجهز به یك حافظه ضدضربه دارید كه ۱۰۰ هزار بار سریع تر از هارددیسك های كنونی است و توان كمتری نسبت به آنها مصرف می كند.

پروفسور ماتیاس كلایو از دانشگاه EPFL لوزان سوئیس در حال كار روی نسل جدیدی از حافظه های RACE TRACK می باشد كه امیدوار است بزودی امكان چنین حافظه هایی را به بازار عرضه كند.

حافظه RACE TRACK یك حافظه مغناطیسی گنجایش بالا، مافوق سریع، غیرفرار و قابل خواندن و نوشتن است.

مدت زمان زیادی كه لازم بود تا كامپیوتر پروفسور كلایو راه اندازی شود موجب دلخور شدن او شده و او را به این فكر واداشت كه باید جایگزینی برای این هارددیسك یافت.

هارددیسك ها معمولا ارزان بوده و قادرند حجم عظیمی از اطلاعات را در خود جای دهند اما كند هستند و زمانی كه اطلاعات از روی هارد به حافظه دسترسی مستقیم (RAM) منتقل می شود بین ۲ تا ۳ دقیقه زمان تلف می شود.

هزینه جهانی این تاخیر بر حسب كاهش بهره وری و مصرف انرژی طی این ۲ تا ۳ دقیقه بالغ بر میلیون ها دلار در روز می شود.

روش پیشنهادی برای حل این مشكل درست شبیه به عملكرد نوار ویدئویی VHS یعنی ضبط و ثبت اطلاعات روی نوار مغناطیسی است.

شباهت این دو روش به همین جا ختم می شود چرا كه در سیستم جدید نوار از نانوسیم های آهن ـ نیكل ساخته می شود كه میلیون ها بار كوچك تر از نوارهای كلاسیك است.

همچنین برخلاف نوارهای ویدئویی در سیستم جدید هیچ چیز به صورت مكانیكی جابه جا نمی شود.

بیت های اطلاعات ذخیره شده روی سیم ها توسط یك جریان اسپینی قطبی شده (پلاریزه) بسادگی جابجا شده و سرعت جابجایی اطلاعات بقدری بالاست كه در مقایسه با نوارهای معمولی این سرعت به چندصد متر در ثانیه می رسد. این سرعت به معنای خواندن یك نوار VHS كمتر از یك ثانیه است.

به منظور امكان پذیر شدن این ایده هر بیت از اطلاعات باید به شكل كاملا آشكار از بیت بعدی جدا باشد تا اطلاعات به شكل قابل اعتمادی خوانده شود. به این منظور برای جداسازی محدوده ۲ بیت از تارك های مغناطیسی استفاده شد.

این ساختار سرعت جابه جایی بیت را به بیشترین میزان ممكن و بیش از حد انتظار می رساند. شركت IBM كه در زمینه توسعه حافظه ای Racetrack فعال است اهمیت نتایج حاصله از این تحقیق را تایید می كند.

میلیون ها و شاید بیلیون ها نانوسیستم را بتوان در داخل یك تراشه جا داده و حجم عظیمی از اطلاعات را در آن ذخیره كرد. شاید اولین نمونه قابل فروش این نوع حافظه ۵ تا ۷ سال دیگر به بازار عرضه شود.

حافظه Racetrackنویدبخش انقلابی در ذخیره و بازیابی اطلاعات است. كامپیوترهایی كه به این حافظه ها مجهز شوند بسیار سریع و آنی راه اندازی شده و اطلاعات موجود در آنها ۱۰۰ هزار بار سریع تر از هارددیسك های معمولی قابل دسترسی است.

میزان مصرف انرژی این نوع حافظه با هارددیسك های كنونی قابل مقایسه نیست و در ذخیره انرژی نقش مهمی ایفا می كند.

هم اكنون وسایل الكترونیكی و كامپیوتری ۶ درصد كل مصرف الكتریسیته جهان را به خود اختصاص داده اند و پیش بینی می شود كه این میزان تا سال ۲۰۲۵ به ۱۵ درصد افزایش یابد

منبع: 17a62.rayantarh.com

 ما مي توانيم ....

mahdavi3d
408 بحث
چهارشنبه 8/10/1389 - 17:45 - 0 تشکر 268908

کشف خواص الكتریكی و اپتیكی جدید نانوذرات مس

محققان پژوهشگاه دانش‌های بنیادی و دانشگاه صنعتی شریف موفق به سنتز نانوذرات مس به روش لایه‌نشانی جدیدی در بستر كربنی شدند.

دکتر طیبه قدس الهی، عضو هیئت علمی پژوهشكده‌ی فیزیك پژوهشگاه دانش‌های بنیادی، در گفتگو با بخش خبری سایت ستاد ویژه‌ی توسعه‌ی فناوری نانو گفت: «با همکاری محققان پژوهشگاه دانش‌های بنیادی، دانشگاه صنعتی شریف و صنایع قطعات صاایران موفق به ساخت نانوذرات مس در بستر كربنی با میزان مس و كربن مختلف و بررسی خواص الكتریكی و اپتیكی این نانوتركیب‌ها شدیم».

دکتر قدس الهی در رابطه با نتایج بررسی‌های صورت گرفته ابراز داشت: «ما یافتیم كه انرژی لازم برای تونل‌زنی الكترون بین نانوذرات مس به جذب در ناحیه‌ی مادون قرمز نزدیك، وابسته است و هردوی این‌ها با میزان مس لایه‌ها تغییر می‌كند. از این خاصیت می‌توان برای طراحی حسگر مادون قرمز و حسگر فشار استفاده كرد».

فارغ‌التحصیل دكتری فیزیك از دانشگاه صنعتی شریف، درباره‌ی چگونگی انجام طرح گفت: «ما نانوذرات مس در بستر لایه‌ی نازك كربنی را به روش لایه‌نشانی هم‌زمان كند و پاش با امواج رادیو فركانسی و نشست بخار شیمیایی كربن از گاز استیلن در شرایط دمای اتاق ساختیم. میزان مس و كربن لایه‌ها، با انجام آنالیز پس‌پراكندگی راترفورد به‌دست آمد. بستگی دمایی مقاومت نمونه‌ها از دمای نیتروژن مایع تا دمای اتاق اندازه‌گیری شد. طیف جذب اپتیكی در ناحیه‌ی مادون قرمز نزدیك نمونه به روش تبدیل فوریه مادون قرمز به‌دست آمد. همچنین با تغییر شرایط ساخت به لایه‌هایی با درصد متفاوت مس از 5% تا 97% دست یافتیم».

دکتر قدس الهی با بیان این مطلب که «شرایط خاص لایه‌نشانی، شیمی غیر تر، دمای اتاق و کنترل‌پذیری بالای درصد مس از مزیت‌های روش ارایه شده است» افزود: «این شرایط، پیش‌نیاز استفاده از لایه‌های تهیه شده در ساخت قطعات الکترونیکی و اپتیکی است».

جزئیات این تحقیق -که با راهنمایی آقای دكتر محمدعلی استاد ابراهیم وساقی انجام شده است- در مجله‌ی Physica B (جلد 405، صفحات 3951-3949، سال 2010) منتشر شده‌است.

 ما مي توانيم ....

mahdavi3d
408 بحث
شنبه 9/11/1389 - 12:38 - 0 تشکر 277958

افزایش چگالی جریان در باتری قابل شارژ با نانوالكترود اكسید قلع

محققان دانشگاه شریف در طرحی موفق به افزایش چگالی جریان در باتری قابل شارژ با نانوالكترود اكسید قلع شدند.

به گزارش خبرگزاری فارس، نانوالكترود اكسید قلع برای استفاده در باتری‌های قابل شارژ میكرومتری به منظور افزایش بازده آنها، ساخته شد.

سید خطیب‌الاسلام صدرنژاد، عضو هیئت علمی دانشگاه صنعتی شریف و مجری این طرح گفت: اكسید قلع، دارای كاربردهای فراوان در وسایل اپتوالكترونیك است و نانوكریستال باردار شده‌ی آن با فلز روی، توانایی افزایش شدت جریان و بازده باتری‌های قابل شارژ لیتیمی را دارد.

وی افزود: آسان‌سازی فرایند ساخت، كاهش هزینه‌ی تولید، نازك كردن و افزایش چگالی جریان باتری‌ها، همچنین ایجاد دانش فنی ساخت میكروباترهای لیتیمی در داخل كشور، از نتایج به‌ دست آمده این تحقیق است.

صدرنژاد گفت: میكروباتری‌های لیتیمی از 5 جزء تشكیل شده‌اند: دو جزء برای برقراری ارتباط با مدار خارجی و سه جزء برای تولید برق. این تحقیق به ساخت یكی از این 5 جزء یعنی آند، اختصاص یافته‌است. به همین منظور، فلز مس ابتدا روی تیغه‌ی شیشه‌ای نشانده شده، سپس تبخیر و در نهایت لایه‌ی اكسید قلع حاوی 1درصد روی لایه‌نشانی شده‌است. نمونه به دست آمده در مدت زمان معینی عملیات حرارتی گردیده و به این ترتیب دانه‌های اكسید نانومتری تولید شده‌اند.

صدرنژاد در پایان با اشاره به این مطلب كه «آند حاصل از این پژوهش، نسبت به آندهای متداول، ساده‌تر و ارزان‌تر است و خواص مطلوبی دارد»، گفت: در این طرح توانستیم ضخامت باتری‌ها را تا حدود 10 میكرومتر كاهش دهیم.

جزئیات این پژوهش كه با همكاری مرتضی ترابی انجام شده، در مجله‌ Power Sources (جلد 196، شماره 1، صفحات 404-399، سال 2011) منتشر شده‌است.

 ما مي توانيم ....

mahdavi3d
408 بحث
يکشنبه 17/11/1389 - 9:35 - 0 تشکر 280041

کشف یک ماده جدید برای ساخت تراشه های رایانه ای آینده

گروهی از دانشمندان اروپایی در بررسیهای خود دریافتند که ماده ای به نام "مولیب دنیت" خاصیت نیمه رسانایی دارد و می تواند در ساخت تراشه های رایانه های آینده مورد استفاده قرار گیرد.

به گزارش خبرگزاری مهر، دانشمندان اروپایی به سرپرستی "آندارس کیس" از لابراتوار الکترونیک و ساختارهای نانویی پلی تکنیک فدرال اکوله در لوزان سوئیس و با بودجه کمیسیون اروپا دریافتند که تراشه های الکترونیکی آینده می توانند از سیلیکون و یا گرافن ساخته نشوند بلکه ماده ای به نام "مولیب دنیت" در تولید این تراشه ها به کار رود.

نتایج تحقیقات این پژوهشگران که در مجله علمی "نیچر نانو تکنولوژی" منتشر شده است نشان می دهد که "مولیب دنیت" یک نیمه رسانای بسیار موثر است که می تواند برای ساخت ترانزیستورهای کوچکتر، موثرتر و کم مصرف تر استفاده شود.

"مولیب دنیت" یک ماده معدنی در دسترس در طبیعت است و درحال حاضر به عنوان ماده اولیه در ساخت آلیاژهای فولادی استفاده می شود، اما تاکنون پناسیل این ماده به عنوان یک نیمه رسانا کشف نشده بود.

این دانشمندان کشف کردند که "مولیب دنیت" به خاطر یک شکاف 1.8 الکترون ولتی یک ماده نیمه رسانای عالی است.

ساختار دو بعدی "مولیب دنیت"، این ماده را از نظر الکتریکی بسیار موثرتر از سیلیکون می کند و بنابراین مصرف انرژی ترانزیستورهای "مولیب دنیتی" در حالت آماده به کار 100 هزار برابر کمتر از ترانزیستورهای سنتی است.

این دانشمندان در این خصوص اظهار داشتند: "این یک ماده دو بعدی بسیار نازک است که به راحتی در نانوتکنولوژی مورد استفاده قرار می گیرد. مولیب دنیت پتانسیل بالایی در ساخت ترانزیستورهای بسیار کوچک، LED و پیلهای خورشیدی دارد. در یک ورقه از مولیب دنیت با قطر 0.65 نانومتر الکترونها می توانند به همان راحتی حرکت کنند که در یک ورق سیلیکون با قطر 2 نانومتر در جریانند. این درحالی است که امروز ساخت یک ورقه سیلیکون نازک مثل یک ورق تک لایه ای مولیب دنیت امکانپذیر نیست."

به گفته این محققان، خواص و مزایای مولیب دنیت برابر با خواص و مزایای گرافن است. با این تفاوت که گرافن در طبیعت موجود نیست و فرایند تولید آن بسیار پرهزینه است.

براساس گزارش کوردیس، "تئوری باند" در فیزیک روشی برای نشان دادن انرژی الکترونها در یک ماده است. در نیمه رساناها در میان این باندها فضاهای آزادی برای حرکت الکترونها وجود دارد که به این فضاها "شکاف باند" گفته می شود.

اگر شکاف چندان کوچک و یا وسیع نباشد بعضی از الکترونها می توانند از روی آنها پرش کنند به این ترتیب سطح کنترل رفتار الکتریکی ماده به حداکثر می رسد و بنابراین می توان آنها را به راحتی روشن و خاموش کرد.

وجود این شکاف در "مولیب دنیت" موجب شده است که این ماده نسبت به گرافن یک مزیت پیدا کند. به طوریکه به اعتقاد این دانشمندان، این ماده در آینده جایگزین سیلیکون خواهد شد. در حقیقت شبه فلز گرافن شکاف ندارد و تولید این شکافها بر روی این ماده به صورت مصنوعی بسیار دشوار و پرهزینه است.

 ما مي توانيم ....

mahdavi3d
408 بحث
جمعه 22/11/1389 - 17:9 - 0 تشکر 282062

ابداع ابزاری برای کوچکتر شدن رایانه های آینده

مهندسان دانشگاه هاروارد موفق به ابداع تراشه های رایانه ای شده اند که متشکل از نانوسیمها بوده و می توان عملکرد محاسبات رایانه ای در آنها را با اعمال جریانهای کوچک الکتریکی تغییر داد.

به گزارش خبرگزاری مهر، این آجرهای کوچک قابل برنامه ریزی می توانند زمینه ساز تولید نسل جدیدی از ریز رایانه ها باشند. در ساخت این نانوپردازشگرها می توان به جای توده ای از مواد از قطعاتی بسیار خرد استفاده کرد. محققان دانشگاه هاروارد چندین سال است که در پی تولید این نانو سیمها با ابعادی هزاران برابر ریزتر از یک تار موی انسان هستند، قطعاتی که هر یک از ژرمانیوم ساخته شده و پوششی سیلیکونی آنها را در بر گرفته است.

آخرین گزارشها از این پروژه نشان می دهند این نانو سیمها به اندازه ای قابل اطمینان هستند که بتوان از آنها در صنعت تولید رایانه استفاده کرد. ویژگی منحصر به فرد این ابداع پیچیدگی مطلقی است که در مدار نهایی و ترکیب شده از این پردازشگرها به وجود می آید و در عین حال استفاده از تعداد بیشتری از این آجرهای نانو می تواند منجر به ایجاد مدارهایی با پیچیدگی های بیشتر شود.

نمونه آزمایشی تراشه ای که توسط محققان دانشگاه هاروارد ساخته شده ترکیبی از 500 پردازشگر یا همان نانو آجرها است که در فضایی یک میلیمتر مربعی ترکیب شده اند و سیمهای فلزی به صورت متقاطع از روی آنها عبور کرده است، شبکه ای که عملکردی مشابه مجموعه ای از ترانزیستورها دارد.

با عبور دادن جریان الکتریکی از میان این شبکه، سیمها می توانند آستانه ولتاژ در هر ترانزیستور را تغییر داده و به این شکل کل ترکیب قابل برنامه ریزی خواهد شد. محققان ویژگی قابل برنامه ریزی بودن این تراشه را با اجرای تعدادی از محاسبات ریاضی و عملکردهای منطقی به نمایش گذاشتند.

با این همه محققان دانشگاه هاروارد معتقدند این نمونه آزمایشی باید به سطح انرژی برابر نیمه رساناهای کنونی دست پیدا کند. در حال حاضر سیاست کلی تولید کنندگان تراشه های رایانه ای دسترسی به محدودیتی در ابعاد تراشه ها هستند زیرا در پی کوچک شدن بی رحمانه تراشه ها در سالهای اخیر این امر تا کنون شدنی نبوده است.

بر اساس گزارش بی بی سی، با این همه می توان تراشه های نانوسیمی را به گونه ای ساخت که تنها یک هشتم از فضای مورد نیاز تراشه های رایج را بگیرند اما در مقابل، سرعت تراشه جدید در مقایسه با تراشه هایی که در حال حاضر در بازار موجود هستند، بسیار پایین تر خواهد بود. از سویی دیگر این تراشه ها به دلیل کم بودن میزان هدررفت جریان الکتریسیته در ترانزیستورها، 10 برابر کم مصرف تر از دیگر تراشه ها است.
منبع: خبرگزاری مهر
http://www.mehrnews.com/fa/newsdetail.aspx?NewsID=1250983

 ما مي توانيم ....

mahdavi3d
408 بحث
دوشنبه 2/12/1389 - 23:22 - 0 تشکر 288039

تولید ترانزیستورهای ارزان به کمک نانولوله های کربنی
تیمی از دانشمندان ژاپنی و فنلاندی روشی را توسعه دادند که با استفاده از نانولوله های کربنی می تواند ترانزیستورهای الکترونیکی انعطاف پذیر را به روشی بسیار ارزان تولید کند.

به گزارش خبرگزاری مهر، محققان دانشگاه ناگویا در ژاپن و دانشگاه "آلتو" در فنلاند تکنیکی را ارائه کردند که می تواند ترانزیستورهای برپایه نانولوله های کربنی انعطاف پذیر را به روشی ارزان و با راندمان بالا تولید کند.

اولین محصولات تجاری برپایه این تکنیک می توانند ظرف 5 سال آینده وارد بازار شوند و در تولید دستگاههای انعطاف پذیر از جمله کاغذهای الکترونیکی و برچسبهای RFID مورد استفاده قرار گیرند.

این دانشمندان با استفاده از این تکنیک موفق شدند ترانزیستور غشای نازک  (TFT) را بر روی یک زیرلایه پلاستیکی تولید کنند.

تاکنون شبکه های نانولوله ها قادر نبودند توانایی قابل قیاسی با توانایی ترانزیستورهای برپایه نانولوله های منفرد را ارائه کنند، چراکه خواص رسانایی نانولوله های شبکه ای در طول مسیر فرایند، هدر می رود.

شبکه های نانولوله ها هم محتوی نانولوله های فلزی و هم محتوی نانولوله های نیمه رسانا هستند.

در این شبکه ها تعداد بسیار زیاد نانولوله های فلزی، حرکت حاملان بار الکتریکی ترانزیستور را افزایش می دهد، اما همزمان رابطه روشن و خاموش را کاهش می دهد.

از آنجا که هر دوی این ویژگیها برای عملکردهای کلی ترانزیستور بسیار مهم هستند، این دانشمندان روشی را برای بهبود عملکرد این دو ویژگی پیدا کرده و موفق شدند شبکه ای از نانولوله های با خواص واحد و یکسان را ایجاد کنند.

این شبکه از نانولوله های 10 میکرومتری تشکیل شده است که 30 درصد از آنها فلزی هستند. میان این نانولوله ها بیشتر از اینکه از مفصلهای X مانند استفاده شود مفصلهای Y مانند به کار رفته اند. چراکه مفصلهای Y فضای اتصال بزرگتری نسبت به مفصلهای X دارند و مقاومت مفصل را کاهش می دهند.

سپس ترانزیستور غشای نازکی که به دست آمده بود از یک فیلتر به یک پلاستیک منتقل شد. این پلاستیک یک غشای تک شکلی را ارائه می کرد.

براساس گزارش PhysOrg.com، به این ترتیب، شبکه نانولوله های به دست آمده اجازه داد که یک TFT ویژه ساخته شود که همزمان حرکت حاملان بار الکتریکی و رابطه روشن و خاموش را حفظ می کرد و به این ترتیب بازده و عملکرد این ترانزیستور تا حد قابل ملاحظه ای نسبت به ترانزیستورهای گذشته برپایه نانولوله ها بهبود یافت.

 ما مي توانيم ....

mahdavi3d
408 بحث
چهارشنبه 4/12/1389 - 12:25 - 0 تشکر 289170

ارائه فناوری جدیدی که اثربخشی پیلهای خورشیدی را سه برابر می کند

پژوهشگران آمریکایی فناوری جدیدی را برپایه مولکولهای آلی ارائه کردند که می تواند میزان اثربخشی پیلهای خورشیدی فتوولتائیک را سه برابر کند.

به گزارش خبرگزاری مهر، "کوانتوم دات" یک نانوساختار نیمه هادی است. تولید پیلهای خورشیدی برپایه "کوانتوم دات" نسبت به پیلهای سنتی ارزانتر است اما میزان اثربخشی و بازده این پیلها بسیار پایین تر از سلولهای خورشیدی معمولی است.

اکنون دانشمندان دانشگاه استنفورد در گزارشی که در کنگره انجمن آمریکایی پیشرفت علم در واشنگتن فناوری جدیدی را نشان دادند که می تواند اثربخشی پیلهای فتوولتائیک برپایه کوانتوم دات را به سه برابر میزان کنونی افزایش دهد.

"استیسی بنت" و همکارانش که از دو سال قبل تحقیقات خود را در این عرصه آغاز کرده اند با افزودن یک لایه از مولکولهای آلی به پیلیهای خورشیدی برپایه ذرات کوچک نیمه هادی (کوانتوم دات) به این نتایج رسیدند.

این محققان در این خصوص توضیح دادند: "ما از خود پرسیدیم که آیا با استفاده از آگاهیهایی که از شیمی داریم می توانیم میزان اثربخشی این پیلها را افزایش دهیم؟"

در این راستا این دانشمندان یک نمونه از نیمه هادی دی اکسید تیتانیوم پیلهای خورشیدی فتوولتائیک را با یک لایه از مولکولهای آلی ترکیب کردند وبه این ترتیب، کوانتوم داتها در میان نیمه هادی و لایه آلی قرار گرفتند.

براساس گزارش Cnet، پس از آزمایش انواع مختلف مولکولهای آلی در تلاش برای بهبود بازده این ساختار، این محققان کشف کردند که جدای از نوع ماده، میزان اثربخشی پیل حدوداً سه برابر پیلهای فتوولتائیک کوانتوم دات فعلی می شود.

 ما مي توانيم ....

mahdavi3d
408 بحث
جمعه 6/12/1389 - 21:38 - 0 تشکر 290481

تولید مواد اولیه صنایع الکترونیک بدون استفاده از مواد سمی

پژوهشگران دانشگاه شهید باهنر کرمان موفق به تولید نانو ذرات هماتیت مورد نیاز در صنایع الکترونیک بدون استفاده از تجهیزات پیچیده و مواد آلی شدند.

به گزارش خبرگزاری مهر، مهندس اسماعیل دره زرشکی عضو هیئت علمی پژوهشکده انرژی و محیط زیست دانشگاه شهید باهنر کرمان با اشاره به کاربردهای نانو ذرات هماتیت گفت: این نانو ذرات به دلیل کاربرد در واکنشهای کاتالیستی، تجهیزات الکترونیکی چون نیمه رساناها و حسگرهای گازی، صنایع رنگ و باتریهای لیتیمی قابل شارژ مجدد، مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته است.

وی با اشاره به چگونگی تهیه نانو ذرات هماتیت اظهار داشت: پس از انجام فرآیند موفق شدیم در دمای 500 درجه سانتیگراد نانو‌ذرات هماتیت را تولید کنیم.

دره زرشکی، تولید نانوذرات هماتیت با میانگین ابعاد 18 نانومتر را نتیجه مهم این پژوهش عنوان کرد و ادامه داد: عدم نیاز روش به کار رفته برای تولید نانوذرات هماتیت به تجهیزات پیچیده و مواد آلی سمی از مزیتهای این تحقیق نسبت به تحقیقات پیشین است.

به گفته مجری طرح، علاوه بر این موفق به سنتز نانوذرات مگ همایت به روش ترسیب تک مرحله ای شده که نتایج آن در مجله Materials Letters منتشر شده است.

 ما مي توانيم ....

mahdavi3d
408 بحث
پنج شنبه 12/12/1389 - 23:4 - 0 تشکر 293995

89/07/25

ساخت مدارات الکترونیکی با اکسید سیلیکون

محققان دانشگاه رایس، موفق به ساخت اولین تراشه‌‌ی حافظه‌ی دوترمینالی شدند که در آن تنها از سیلیکون استفاده شده‌است. این فناوری به‌راحتی قابل استفاده در روش‌های نانوالکترونیک است و می‌تواند بر محدودیت‌های قانون مور فائق آید.

سال قبل محققان دانشگاه رایس نشان دادند که جریان الکتریکی می‌تواند منجر به قطع یک نوار گرافیت و وصل مجدد آن گردد. اخیراً محققان این دانشگاه دریافته‌اند که این اتفاق می‌تواند برای اکسید سیلیکون نیز بیفتد. جان‌یو، دانشجویی است که در آزمایشگاه پروفسور تور کار می‌کند، او یک لایه‌ی اکسید سیلیکون را در میان ورقه‌هایی از سیلیکون پلی‌کریستال قرار داد؛ به‌طوری که این ورقه‌ها نقش الکترود را در آن بازی می‌کردند. با اعمال جریان، اکسیژن از اکسید سیلیکون جدا و زنجیره‌ای از بلورهای نانومقیاس سیلیکون ایجاد ‌شد. پس از تشکیل این زنجیره می‌توان آن را با اعمال پالس‌هایی از ولتاژهای متغییر از بین برد و دوباره ایجاد کرد. نانوبلورهای ایجادشده 5 نانومتر پهنا داشته و بسیار کوچک‌تر از مدارات موجود در ادوات و کامپیوتر‌های پیشرفته‌ای است که تاکنون ساخته شده‌اند.
http://www.nano.ir/news/attach/8030.JPG
جان‌یو در ابتدا انجام این پروژه‌ مشکل بزرگی داشت؛ او نمی‌توانست همکاران خود را متقاعد کند که اکسید سیلیکون به‌تنهایی می‌تواند در مدارات استفاده شود. به گفته‌ی او کسی به این ایده اعتقاد نداشت و او به‌سختی توانسته آنها را برای این کار متقاعد کند.

زیبایی این کار در سادگی آن است. سوئیچ‌ها و حافظه‌های ساخته‌شده با این روش، تنها دو ترمینال دارند زیرا نیاز به جایی برای نگهداری بار ندارند؛ درحالی که حافظه‌های فلش دارای سه ترمینال هستند.

نکته‌ی جالب دیگر این پروژه آن است که اکسیدهای سیلیکون را می‌توان روی هم چید و در واقع یک حافظه‌ی سه‌بعدی ایجاد کرد که یکی از نیازهای امروز صنعت الکترونیک است.

حافظه‌ی اکسید سیلیکون کاملاً با فناوری ساخت ترانزیستورهای رایج، مطابقت دارد. فناوری ساخت حافظه‌های فلش به مرز 20 نانومتر رسیده و مدت‌هاست كه تولیدکنندگان به دنبال کوچک‌تر کردن آن هستند. حال با این فناوری می‌توان به مدارات زیر 10 نانومتر رسید.

یکی از محاسن این فناوری آن است که در برابر تابش بسیار مقاوم است که این مسئله موجب می‌شود که در کاربردهای نظامی و فضایی مناسب باشد. اخیراً محققان دانشگاه رایس شرکتی را تأسیس كرده‌اند که روی ساخت آرایه‌های قابل برنامه‌ریزی، فعالیت می‌کند. این شرکت در بخش طراحی مدارات کامپیوتری مبتنی بر اکسید سیلیکون نیز کار می‌کند.


منبع: nano.ir

 ما مي توانيم ....

mahdavi3d
408 بحث
پنج شنبه 12/12/1389 - 23:6 - 0 تشکر 293996

89/12/10

سرمایه‌گذاری 5 میلیارد دلاری اینتل در زمینه فناوری‌نانو

به گفته پائول اُتلینی، مدیر عامل شرکت اینتل، بر اساس برنامه‌ریزی‌های انجام شده، این شرکت بیش از 5 میلیارد دلار برای احداث تسهیلات جدید تولید تراشه در مقیاس نانو، در آریزونا سرمایه‌گذاری می‌کند.

کارخانه‌ی جدید اینتل با نام MEMS ساخته می‌شود. عبارت بکاررفته برای شکل‌دهی در صنعت SEMICON است. "> Fab 42، یکی از پیشرفته‌ترین و عظیم‌ترین تسهیلات تولید نیمه‌هادی‌ها در دنیا خواهد بود. انتظار می‌رود که ساخت کارخانه جدید از اواسط سال جاری میلادی آغاز شده و تا سال 2013 به اتمام برسد.

این سرمایه‌گذاری عظیم، جایگاه شبکه تولیدی شرکت اینتل را برای رشد آتی آن شکل می‌دهد.کارخانه جدید، عملیات خود را در فرایندی آغاز خواهد کرد که امکان تولید ترانزیستورهایی با اندازه 14 نانومتر را فراهم می‌کند. این ترانزیستورها، مبنای توسعه شرکت اینتل محسوب شده و امکان ارائه محصولات جدید و در مقیاسی وسیع برای مشتریان آنها را فراهم می‌کند.

از آنجایی که سه چهارم فروش شرکت اینتل در بیرون از ایالات متحده آمریکا است، کارخانه جدید، توانمندی‌های تولیدی شرکت فوق را به‌طور چشمگیری افزایش خواهد داد و شرکت می‌تواند تراشه‌های رایانه‌ای کاراتر و قدرتمندتری تولید کند.

احداث کارخانه جدید در زمینه تولید تراشه‌های 14 نانومتر، منجر به تولید محصولاتی برای مشتریان خواهد شد که کارایی انرژی و عملکرد ادوات مختلف رایانه از سرورها گرفته تا ادوات قابل حمل را افزایش خواهد داد.

پیش‌بینی می‌شود با احداث این کارخانه در حوزه فناوری‌نانو، زمینه اشتغال‌زایی هزاران نفر در این حوزه نوظهور فراهم شود.

منبع: nano.ir

 ما مي توانيم ....

برو به انجمن
انجمن فعال در هفته گذشته
مدیر فعال در هفته گذشته
آخرین مطالب
  • آلبوم تصاویر بازدید از کلیسای جلفای...
    آلبوم تصاویر بازدید اعضای انجمن نصف جهان از کلیسای جلفای اصفهان.
  • بازدید از زیباترین کلیسای جلفای اصفهان
    جمعی از کاربران انجمن نصف جهان، در روز 27 مردادماه با همکاری دفتر تبیان اصفهان، بازدیدی را از کلیسای وانک، به عمل آورده‌اند. این کلیسا، یکی از کلیساهای تاریخی اصفهان به شمار می‌رود.
  • اعضای انجمن در خانه شهید بهشتی
    خانه پدری آیت الله دکتر بهشتی در اصفهان، امروزه به نام موزه و خانه فرهنگ شهید نام‌گذاری شده است. اعضای انجمن نصف جهان، در بازدید دیگر خود، قدم به خانه شهید بهشتی گذاشته‌اند.
  • اطلاعیه برندگان جشنواره انجمن‌ها
    پس از دو ماه رقابت فشرده بین کاربران فعال انجمن‌ها، جشنواره تابستان 92 با برگزاری 5 مسابقه متنوع در تاریخ 15 مهرماه به پایان رسید و هم‌اینک، زمان اعلام برندگان نهایی این مسابقات فرارسیده است.
  • نصف جهانی‌ها در مقبره علامه مجلسی
    اعضای انجمن نصف جهان، در یك گردهمایی دیگر، از آرامگاه علامه مجلسی و میدان احیا شده‌ی امام علی (ع) اصفهان، بازدیدی را به عمل آوردند.
تعدادبازدیدکنندگان
تاکنون
اکنون
Copyright © 2012 . All right reserved