تبیان، دستیار زندگی

چهارمین همایش سالانه پیشگامی نانوساخت و نانومواد ایمن‌تر

چهارمین همایش سالانه پیشگامی نانوساخت و نانومواد ایمن‌تر (SNNI)، در روزهای 2 تا 3 مارس سال 2009 در شهر اُرگان ایالات متحده‌آمریکا برگزار خواهد شد. سخنرانی‌های این همایش بر طراحی و تولید نانومواد زیست‌سازگار تمرکز خواهد داشت.

در این همایش دانشگاهیان، صنعت‌گران و سیاست‌گذاران کشورهای مختلف شرکت خواهندکرد تا رویکردهای توسعه به‌صرفه و زیست‌سازگار فناوری‌نانو را بحث و بررسی کنند.

در این همایش دو روزه، متخصصان ملی و محلی آخرین یافته‌های تحقیقاتی خود را در این زمینه ارائه خواهند کرد.

برخی از محورهای این همایش عبارتند از:

1 - طراحی زیست سازگار
2 - تولید زیست‌سازگار
3 - تعیین مشخصات نانوذرات و چالش‌های پیش‌روی توسعه فناوری‌نانو و زیست‌فناوری
4 - انتشار نانومواد در سیستم‌های زنده

حذف محدودیت‌های موجود بر روی سرعت تغییر وضعیت اسپین

اخیراً محققانی از آلمان راهی برای تغییر فوق‌العاده سریع مقدار یک بیتِ دادة مغناطیسی ابداع کرده‌اند که در آن از جریانی از الکترون‌های دارای اسپینِ قطبیده استفاده می‌شود. آنها توانسته‌اند زمان انجام تغییر وضعیت مذکور را از ده نانوثانیه به یك نانوثانیه تقلیل دهند. این محققان ادعا کرده‌اند که به‌زودی می‌توان از این روش در ساخت حافظه‌های دسترسی تصادفی مغناطیسی یا MRAMها بهره گرفت.

MRAMها سرعتی برابر با تراشه‌های حافظة معمولی داشته و در عین حال چگالی‌های ذخیره‌سازی بالایی دارند. مزیت اصلی این حافظه‌ها، حفظ داده‌های حافظه پس از خاموش‌ شدنِ آن است. تراشه‌های حافظة سریع معمولی مانند حافظه‌های دسترسی تصادفی پویا و ایستا (DRAMها و SRAMها)، بیت‌های داده را در قالب بارهای الکتریکی در خازن‌های بسیار کوچک ذخیره می‌کنند. با خاموش شدن این ابزارها، داده‌ها به‌سرعت از دست می‌روند. این مسئله موجب پیدایش زمانی به نام «زمان بالا آمدن» در مرحلة آغاز به کار رایانه‌ها(پس از روشن‌شدن) گردیده‌است که در آن اطلاعات از روی دیسک سخت به روی حافظه منتقل می‌شود. علاوه بر این، حافظه‌های معمولی برای ذخیره‌سازی اطلاعات انرژی زیادی مصرف می‌کنند.

اکثر سازندگان تراشه معتقدند که MRAMکه در آن، بیت‌های داده در نانوستون‌های بسیار کوچکی از مواد مغناطیسی ذخیره می‌شوند) مناسب‌ترین نوع حافظه برای دستیابی به یک حافظة سریع است. بیشتر MRAMها از یک سکة مغناطیسی بسیار کوچک در نزدیکی نانوستون استفاده کرده و به کمک آن، جهت مغناطش را عوض می‌کنند و به عبارت دیگر، از «۰» به «۱» تغییر می‌دهند؛ البته ساخت سکه‌هایی که آن قدر کوچک كه بتواند به تراشه‌های MRAM، چگالی‌های بیت بالایی مشابهی با DRAM یا SRAM بدهند، یکی از چالش‌های سازندگان است. یکی از راه‌های حل این مشکل، استفاده نكردن از یک سکة حجیم و تغییر وضعیت نانوستون از طریق عبور یک پالس از الکترون‌های دارای اسپین قطبیده، از خلال آن است. بیشتر اسپین‌ها در چنین پالسی در جهت‌های خاصی قرار گرفته‌اند(بالا یا پایین) و ممان مغناطیسی آنها یک «گشتاور اسپینی» بر روی مغناطشِ نانوستون اعمال می‌کند.

با این حال مشکلی موجود این است که ممان مغناطیسی مذکور پیش از قرارگیری در جهت جدید، برای حدود ده نانوثانیه نوسان می‌کند. این زمان ده برابر طولانی‌تر از زمانی است که با کاربردهای عملی تناسب دارد. این مسئله فیزیک‌دانان را ناامید کرده‌است زیرا از لحاظ نظری باید بتوان مغناطش را در عرض حدوداً یک نانوثانیه عوض کرد.

هم‌اکنون هانس وارنر چوماچر و همکارانش در آزمایشگاه استانداردِ PTB در براونچویگ و دانشگاه بیلفیلد نشان داده‌اند که می‌توان زمان تغییر وضعیت یک نانوستون را از طریق کنترل شکل و طول موقتی پالس(و اعمال یک میدان مغناطیسی ثابت کوچک) به یک نانوثانیه تقلیل داد. چوماچر گفت که این میدان مغناطیسی، «مغناطش را به ناحیة مشخصی که تغییر وضعیت در آن از سایر نواحی آسان‌تر است می‌برد.»

این گروه آزمایش‌های خود را با استفاده از یک نمونة آزمایشی MRAM اسپین-گشتاور که به‌وسیلة Singulus Nano Deposition Technologies در فرانکفورت ساخته شده بود، انجام دادند. با اینکه چوماچر و گروهش نیز برای تولید میدان مغناطیسی از سکه‌های خارجی استفاده کردند؛ وی معتقد است که می‌توان از طریق طراحی دقیق شکل بیت حافظه، میدان مغناطیسی مشابهی را در كنار هر نانوستون ایجاد نمود. وی بر این باور است که می‌توان این فناوری را تا سال ۲۰۱۰ در MRAMهای تجاری به کار گرفت.

نتایج این تحقیق در نشریة .Phys. Rev. Lett به چاپ رسیده‌است

پینبال نانویی در باشگاه اتمی!

دانشمندان هلندی روشی ابداع کرده‌اند که به‌ وسیلة آن می‌توان ابزار مکانیکی اتم‌ مقیاسی را که شامل دو بخش بوده و هر بخش تنها از دو اتم تشکیل یافته ‌است از طریق یک سیگنال الکتریکی خارجی کنترل کرد.

به گزارش سرویس فن‌اوری ایسنا، با این روش، ابزار مذکور پایدار مانده، می‌توانند وظایف مختلفی را اجرا کند. در نمایی ساده، این روش شبیه به بازی پینبال است و دو بخشِ ابزار همانند کفه‌های بازی پینبال عمل می‌کنند.

اجزای مختلف نانوماشین‌ها، ساختارهای اتمی یا مولکولی‌ای هستند که برای انجام وظیفة خاصی طراحی شده‌اند و وقتی در یک مجموعه قرار می‌گیرند، یک عملکرد پیچیده را اجرا می‌کنند.

این ماشین‌ها با کوچک‌ترسازی مقیاس فرایندهای ساخت ماشین‌های بزرگ ‌مقیاس، قابل ساخت نیستند؛ به‌عنوان مثال در تراشه‌های رایانه‌یی، اثرات همدوسی و اندازة کوانتومی، میدان‌های الکتریکی قوی که به از کار افتادگی شدید دی‌الکتریک می‌انجامند، مشکلات اتلاف حرارت در ساختارهای بسیار فشرده و نزدیک ‌به ‌هم و عیب‌های تک‌ اتمی مانع از کوچک‌ترسازی مقیاس فرایندهای کنونی ساخت تراشه‌ها می‌شوند.

این روش را دکتر هارولد زندلیت استادی در دانشگاه توین هلند و گروهش ابداع كرده‌اند.

وی دربارة این کشف گفت: «ما حرکت تحریک‌شده و کنترل‌شدة یک ابزار مکانیکی اتم‌مقیاس را به نمایش کشیده‌ایم.» وی با اشاره به اینکه ابزار مذکور، قابلیت حرکت در چند مد دینامیکی را دارد، افزود:«کشف ما پیشرفتی مهم در زمینة مهندسی اتم‌مقیاس است؛ زیرا این کشف نشان داد که حتی در ابعاد چنداتمی نیز می‌توان ابزاری ساخت که تنها با یک تحریک خارجی حرکت کند.»

وی با اشاره به تصادفی‌ بودن این کشف گفت:«هدف اولیة ما مطالعة خصوصیات فیزیکی زنجیره‌های اتمی دوبخشی خود مرتب‌شونده بود».

اجزای سازندة بنیادی ساختار مورد بررسی، یک جفت از اتم‌های پلاتین(که یک دیمر نامیده می‌شوند) هستند و بر روی یک سطح ژرمانیومی قرار گرفته‌اند.

زندلیت توضیح داد که برخلاف یک تک‌اتم، یک دیمر قادر است تا یک مد دورانی نیز داشته باشد؛ بنابراین به کمک آن می‌توان به آرایش‌های(غالباً هم‌انرژی) بیشتری دست پیدا کرد. این گروه پس از آزمایش‌های دقیق دریافتند که یکی از اتم‌های این جفت همانند یک محور عمل کرده و دیگری(همانند یک کفة پینبال) به جلو و عقب می‌رود.

آنها دریافتند که این اتفاق تنها زمانی رخ می‌دهد که این جفت، تحت تابش الکترون‌های یک STM قرار می‌گیرد و اینکه افزایش توان جریان، فرکانس بالاپایین ‌شدن اتم را افزایش می‌دهد.

زندلیت گفت:« از بین یک میلیارد الکترون که بین نوک STM و ماشین پینبال ما تونل‌زنی می‌کنند، تنها یک الکترون، موجب حرکت دیمر می‌شود. تحلیل ما نشان می‌دهد که این فرایند تک‌الکترونی کاملاً اتفاقی است.»

به گزارش ستاد ویژه توسعه فن‌آوری نانو، این دانشمندان در توضیح این پدیده می‌گویند که احتمالاً اتم زیرلایه‌ای موجود در زیر دو اتمِ چرخنده، با یک اتم متفاوت جایگزین می‌شود و به تبع آن، پیوند بین دیمرها با زیرلایه تضعیف شده و دیمرها با یک جابه‌جایی یک‌طرفه به اتم‌های مجاور در زیرلایه متصل می‌شوند؛ البته استفاده از STM، یک راه پیچیده برای اعمال سیگنال خارجی است و در صورت اعمال ولتاژ به اتصالات خارجی و کنترل فرکانسِ بالا پایین ‌شدن به‌ وسیلة آن، روش مذکور ساده‌تر خواهد شد.

نتایج این تحقیق در نشریة Nano Letters به چاپ رسیده‌است

ساخت یک ژل محیط کشت سه‌‌‌‌بعدی برگشت‌‌‌‌پذیر

محققان موفق به تولید یک ژل محیط کشت نانوکامپوزیت سیلیکا و PEG سه‌بعدی شدند که به‌راحتی می‌‌‌‌توان آن را از حالت ژل به مایع و برعکس تبدیل کرد.

محققان توانستند ژل منحصربه‌فردی را تولید کنند که در هنگام نیاز به مایع تبدیل می‌‌‌‌شود. این ژل می‌تواند در زمینة محیط کشت‌‌‌‌های سلولی سه‌‌‌‌بعدی در تحقیقات پزشکی، انقلابی به پا كند. در صورت اعمال یک نیروی متوسط برشی، این ژل مایع شده و بعد از گذشت تنها یک دقیقه از برداشت نیرو دوباره به شكل جامد درمی‌‌‌‌آید. این پدیدة تبدیل حالت بین شكل ژل و جامد تیکسوتروپی، نام دارد.

محیط کشت سلولی سه‌‌‌‌بعدی در مقایسه با انواع دوبعدی آن‌ـ که روی سطحی صاف تهیه می‌‌‌‌شوند‌ـ دید بهتری از وقایع در حال اتفاق در بدن، به دست می‌‌‌‌دهند، همچنین این محیط‌‌‌‌ها در آزمون‌‌‌‌های غربال‌‌‌‌گری دارویی بسیار بهتر از انواع دوبعدی خود عمل می‌‌‌‌کنند.

این ژل از نانوکامپوزیت سیلیکا و PEG در دمای اتاق و در شرایط خاص نگه‌‌‌‌داری تهیه شده‌است. از مزایای این ژل شکل مایع آن است كه این ویژگی امكان جابه‌جایی راحت میزان مورد نیاز از سلول‌‌‌‌های درون محیط را به‌وسیلة پیپت فراهم می‌آورد و برخلاف محیط‌‌‌‌های قدیمی برای کندن سلول‌‌‌‌ها از محیط جامد به تریپسین نیاز نیست. تریپسین به‌دلیل خاصیت آنزیمی خود، به‌خصوص در محیط‌‌‌‌های کشت سلول‌‌‌‌های بنیادی، باعث آسیب رسیدن به سلول می‌‌‌‌شود. محققان قادر به كنترل سختی این ژل هستند؛ این توانایی باعث می‌شود تا سلول‌‌‌‌های بنیادی را از تیپ‌‌‌‌های سلولی مورد نظر خود متمایز کنند.

از خصوصیات دیگر این ژل این است که می‌‌‌‌تواند ماتریکس خارج سلولی(ECM) را که به‌وسیلة سلول ایجاد می‌‌‌‌شود، به دست دهد، در نتیجه می‌‌‌‌توان ECM ایجادشده را در جواب به درمان‌‌‌‌های دارویی یا شرایط بیماری بررسی کرد.

صدور خدمات آموزشی فناوری‌نانو به کشور برزیل

کارگاه آموزشی "فناوری‌نانو و کاربرد آن در صنعت نفت" توسط دکتر علیمراد رشیدی و دکتر سورنا ستاری محققان پژوهشگاه صنعت نفت ایران در کشور برزیل با موفقیت برگزار گردید.
این کارگاه که با درخواست مرکز تحقیقات و دانشگاه Petrobrass کشور برزیل به مدت یک هفته از تاریخ 24/6/1387 لغایت 1/7/1387 انجام شد مورد استقبال دانشجویان و پژوهشگران این مرکز قرار گرفت و محققان برزیلی با مبانی تئوری و عملی نانو و کاربرد آن در صنعت نفت آشنا شدند.
موضوعات ارائه گردیده در این دوره شامل مبانی علوم و فناوری نانو، روش‌های سنتز مواد نانوساختار، نانوساختارهای کربنی، اولویت‌ها و کاربرد فناوری‌نانو در صنعت نفت و ... بودند.
همچنین در این دوره شرکت‌کنندگان با فعالیت‌های ستاد ویژه توسعه فناوری‌نانو و پژوهشگاه صنعت نفت در عرصه ‌نانو آشنا شدند.
طی مذاکرات انجام شده، مقرر گردید مسئولان دانشگاه و مرکز تحقیقاتی آنها به منظور تبادل اطلاعات و انجام فعالیت‌های مشترک، از فعالیت‌های کشور ایران در حوزه علوم و فناوری نانو بازدید به‌عمل آورند.
گفتنی است دکتر رشیدی در سومین جشنواره انتخاب برترین های فناوری نانو حائز رتبه ششم در بین محققان برتر شدند و همزمان، عناوین محقق جوان برتر و صاحب پایان نامه برتر را نیز به خود اختصاص دادند.

تحقق اهداف ابررسانایی از طریق قرار دادن تنگستن در درون نانوماتریس

قرار دادن تری‌اکسید تنگستن در درون یک ماتریس نانومتخلخل مانند اوپالِ معکوسِ کربنی، کاغذ نانولولة کربنی یا اسفنج پلاتینی و متعاقب آن، جای ‌دادن یون‌های قلیایی به این ساختار می‌تواند روشی برای تحقق اهداف ابررسانایی باشد. علی علی‌اف و همکارانش از دانشگاه تگزاس در دالاس ایالات متحده آمریکا در نمونه‌های متعددی از مواد( LixWO3–y و NaxWO3–y) و در محدودة دمایی ۱۲۵ تا ۱۳۲ درجة کلوین، رفتارهای مغناطیسی و الکتریکی غیر معمولی‌ای را مشاهده کرده‌اند.
علی‌اف اشاره کرد که نتایج منتشرشدة این گروه تطابق کمی با ابررسانایی دارد؛ اما آنها به‌شدت در تلاشند تا به نتایج بهتری در این خصوص دست یابند و به مادة خود، بسیار امیدوارند. وی گفت:«مساحت سطح بسیار زیاد ذرات تنگستن‌ برنز(که به اوپال‌های کربنی معکوسِ پوسته‌شکل، با ظرفیت گرمایی بسیار کوچک و رسانایی حرارتی پایین، اضافه می‌شوند) می‌تواند در بسیاری از حسگرها مانند SQUIDها، بولومترهای IR و ابزارهای کلیدزنی نانویی برای آشکارسازی میکروویو در MRI، استفاده شود.»
این محققان از طریق غوطه‌ور ساختن یک ساختار آزمایشی میله‌شکل در اسیدپروکسوتنگستیک، لایة اکسید تنگستن را بر روی ماتریس متخلخل میزبان رسوب‌دهی کردند، سپس با استفاده از یک خلأ، تلاش کردند تا محلول به عمق شبکة نانومتخلخل نفوذ کند. این فرایند غوطه‌وری، برای دستیابی به ضریب پرکنندگی بالاتر، حداقل چهار تا پنج بار تکرار می‌شود. پس از هر بار نفوذ، اجازه داده می‌شود تا مادة آزمایش به مدت ده دقیقه در دمای اتاق خشک شود و پس از آن به مدت ۳۰ دقیقه در دمای ۱۳۰ درجة سانتی‌گراد سخت می‌گردد و به این شکل، لایة رسوب‌دهی‌شده بر روی سطح میزبان، اصلاح و پایدار می‌شود.
جای‌ دادن الکتروشیمیایی، از طریق اتصال ماتریسِ غنی‌شده با تنگستن به دستگاهی با سه ‌الکترود که دارای الکترولیت‌های مختلف است، انجام می‌گیرد. در این بررسی، رفتار مغناطیسی و الکتریکی‌ مواد به دست‌آمده حاکی از آن بود که ممکن است ابررسانایی نفوذنکردة موضعی(localized non-percolated superconductivity) ایجاد شده‌ باشد؛ البته هنوز دلیل اینکه چرا ماتریس‌های نانوساختار قادر به اعمال چنین اثری هستند، در دست بررسی است.
علی‌اف توضیح داد:«رفتار حالت‌های الکترونیکی‌ ذرات تنگستن ‌برنز‌ که تحت برانگیختگی نوری قرار گرفته‌اند، امکان وجود یک ساز و كار دو قطبشی را در جفت‌ شدگی الکترون مطرح می‌کند. در این نانوساختار، شاید حبس ‌شدگی کوانتومی حامل‌ها در جزیره‌های کوچک(۱۰ تا ۱۵ نانومتر) به جداسازی چگالی حالت‌های شبه‌ذره‌ای منجر شود و این پدیده می‌تواند دلیل افزایش کوچک در دمای گذار ذرات تنگستن‌برنز باشد. این مقدار، برای تنگستن ‌برنز بزرگ‌مقیاس ۹۱ درجة کلوین، و برای تنگستن ‌برنز نانوساختار ۱۲۵ درجة کلوین است. وی افزود:«من معتقدم در زیر حدود پنج نانومتر، به‌دلیل نبود هیچ حالتی در اطراف باندگپ، ابررسانایی به‌کلی حذف می‌شود.»
نتایج این تحقیق در نشریة Superconductor Science and Technology به چاپ رسیده‌است.

تلاش روسیه برای جلوگیری از پیامدهای منفی بحران مالی دنیا بر توسعه فناوری‌نانو

بدون شک بحران مالی جهانی، تامین مالی پروژه‌های تحقیقاتی ستاد فناوری‌نانوی روسیه را تحت‌تاثیر قرار خواهد داد. به گفته چیومبایس، رییس ستاد فناوری‌نانوی روسیه، منابع مالی دولتی باید به طور کارا و اثربخشی به پروژه‌های مختلف فناوری‌نانو اختصاص یابند تا بحران مالی دنیا رفع شود.
چیومبایس پیش‌بینی کرده است که تمایل شرکت‌ها به سرمایه‌گذاری در پروژه‌های ابداعی در طی 2 سال آتی کاهش یابد، لذا ستاد فناوری‌نانوی این کشور باید با ارائه گزینه‌ها و پروژه‌های ابداعی جدید و متنوع به کسب‌ و کارهای مختلف، بستر مناسب برای جلب مشارکت آنها، جهت توسعه فناوری‌نانو را فراهم کند.
در حال حاضر ستاد فناوری‌نانوی روسیه90 پروژه تحقیقاتی به مناقصه گذاشته است. از این تعداد 4 پروژه آغاز شده و 6 پروژه نیز به زودی آغاز خواهد شد. وی پیش‌بینی کرده است تا در سال جاری میلادی و سه ماهه اول سال 2009، نزدیک به 22 پروژه سرمایه‌گذاری، تایید و آغاز به کار کنند

حذف محدودیت‌های موجود بر روی سرعت تغییر وضعیت اسپین (87/08/29 )

اخیراً محققانی از آلمان راهی برای تغییر فوق‌العاده سریع مقدار یک بیتِ دادة مغناطیسی ابداع کرده‌اند که در آن از جریانی از الکترون‌های دارای اسپینِ قطبیده استفاده می‌شود. آنها توانسته‌اند زمان انجام تغییر وضعیت مذکور را از ده نانوثانیه به یك نانوثانیه تقلیل دهند. این محققان ادعا کرده‌اند که به‌زودی می‌توان از این روش در ساخت حافظه‌های دسترسی تصادفی مغناطیسی یا MRAMها بهره گرفت.

MRAMها سرعتی برابر با تراشه‌های حافظة معمولی داشته و در عین حال چگالی‌های ذخیره‌سازی بالایی دارند. مزیت اصلی این حافظه‌ها، حفظ داده‌های حافظه پس از خاموش‌ شدنِ آن است. تراشه‌های حافظة سریع معمولی مانند حافظه‌های دسترسی تصادفی پویا و ایستا (DRAMها و SRAMها)، بیت‌های داده را در قالب بارهای الکتریکی در خازن‌های بسیار کوچک ذخیره می‌کنند. با خاموش شدن این ابزارها، داده‌ها به‌سرعت از دست می‌روند. این مسئله موجب پیدایش زمانی به نام «زمان بالا آمدن» در مرحلة آغاز به کار رایانه‌ها(پس از روشن‌شدن) گردیده‌است که در آن اطلاعات از روی دیسک سخت به روی حافظه منتقل می‌شود. علاوه بر این، حافظه‌های معمولی برای ذخیره‌سازی اطلاعات انرژی زیادی مصرف می‌کنند.

اکثر سازندگان تراشه معتقدند که MRAMکه در آن، بیت‌های داده در نانوستون‌های بسیار کوچکی از مواد مغناطیسی ذخیره می‌شوند، مناسب‌ترین نوع حافظه برای دستیابی به یک حافظة سریع است. بیشتر MRAMها از یک سکة مغناطیسی بسیار کوچک در نزدیکی نانوستون استفاده کرده و به کمک آن، جهت مغناطش را عوض می‌کنند و به عبارت دیگر، از «۰» به «۱» تغییر می‌دهند؛ البته ساخت سکه‌هایی که آن قدر کوچک كه بتواند به تراشه‌های MRAM، چگالی‌های بیت بالایی مشابهی با DRAM یا SRAM بدهند، یکی از چالش‌های سازندگان است. یکی از راه‌های حل این مشکل، استفاده نكردن از یک سکة حجیم و تغییر وضعیت نانوستون از طریق عبور یک پالس از الکترون‌های دارای اسپین قطبیده، از خلال آن است. بیشتر اسپین‌ها در چنین پالسی در جهت‌های خاصی قرار گرفته‌اند(بالا یا پایین) و ممان مغناطیسی آنها یک «گشتاور اسپینی» بر روی مغناطشِ نانوستون اعمال می‌کند.

با این حال مشکلی موجود این است که ممان مغناطیسی مذکور پیش از قرارگیری در جهت جدید، برای حدود ده نانوثانیه نوسان می‌کند. این زمان ده برابر طولانی‌تر از زمانی است که با کاربردهای عملی تناسب دارد. این مسئله فیزیک‌دانان را ناامید کرده‌است زیرا از لحاظ نظری باید بتوان مغناطش را در عرض حدوداً یک نانوثانیه عوض کرد.

هم‌اکنون هانس وارنر چوماچر و همکارانش در آزمایشگاه استانداردِ PTB در براونچویگ و دانشگاه بیلفیلد نشان داده‌اند که می‌توان زمان تغییر وضعیت یک نانوستون را از طریق کنترل شکل و طول موقتی پالس(و اعمال یک میدان مغناطیسی ثابت کوچک) به یک نانوثانیه تقلیل داد. چوماچر گفت که این میدان مغناطیسی، «مغناطش را به ناحیة مشخصی که تغییر وضعیت در آن از سایر نواحی آسان‌تر است می‌برد.»

این گروه آزمایش‌های خود را با استفاده از یک نمونة آزمایشی MRAM اسپین-گشتاور که به‌وسیلة Singulus Nano Deposition Technologies در فرانکفورت ساخته شده بود، انجام دادند. با اینکه چوماچر و گروهش نیز برای تولید میدان مغناطیسی از سکه‌های خارجی استفاده کردند؛ وی معتقد است که می‌توان از طریق طراحی دقیق شکل بیت حافظه، میدان مغناطیسی مشابهی را در كنار هر نانوستون ایجاد نمود. وی بر این باور است که می‌توان این فناوری را تا سال ۲۰۱۰ در MRAMهای تجاری به کار گرفت.

نتایج این تحقیق در نشریة .Phys. Rev. Lett به چاپ رسیده‌است

بررسی خواص مکانیکی لایه‌های نازک نانوساختار در دانشگاه تربیت مدرس

پژوهشگر دانشگاه تربیت مدرس طی پژوهشی با همکاری محققان دانشگاه کمبریج انگلستان موفق به بررسی خواص مکانیکی لایه‌های نازک نانوساختار بر پایه آلیاژ حافظه‌دار NiTi بوسیله روش نانوسختی‌سنجی (Nanoindentation) شد.
دکتر سهراب سنجابی، در گفتگو با بخش خبری سایت ستاد ویژه توسعه فناوری‌نانو، اظهار داشت: "خواص مکانیکی مواد در ابعاد نانومتری بسیار پراهمیت است، به‌ویژه اگر از مواد هوشمند نیز استفاده گردد.
آلیاژ حافظه‌دار پایه NiTi دارای دو ویژگی مهم حافظه‌داری و سوپرالاستیسیته است که در هیچ فلز و آلیاژ دیگری مشاهده نشده است.
در این پژوهش لایه‌های نازک نانوساختار به روش کند و پاش (Sputtering) با ترکیبات مختلف NiTi، NiTiCu و NiTiHf تولید و خواص مکانیکی آنها به روش نانوسختی‌سنجی که روشی جدید برای ارزیابی خواص مکانیکی در ابعاد نانومتری است، اندازه‌گیری شده است.
نتایج حاکی از آن است که می‌توان خواص حافظه‌داری و سوپرالاستیسیته را در تغییر فرم‌های زیر)100nm حدود 50(nm مشاهده نمود. بدین‌ترتیب می‌توان قطعه‌های نانومتری از این آلیاژها را با خواص ذکر شده که مورد کاربرد در ساخت نانوروبات‌ها هستند، را ساخت".
سنجابی با اشاره به اینکه کاربرد این آلیاژها به صورت لایه نازک در ساخت میکرووالوها، میکروپمپ‌ها، MEMS، NEMS، نانوروبات‌ها، نانوچنگک‌ها و.. است، گفت: "در این پروژه سعی گردیده که از عناصر خالص، لایه نازک آلیاژی تولید گردد تا بتوان هر ترکیبی از آلیاژهای مختلف را تهیه نمود، در صورتی که در کارهای مشابه بیشتر از تارگت‌های آلیاژی و از روش کند و پاش، برای لایه‌نشانی استفاده می‌شود".
عضو هیئت علمی گروه نانوفناوری دانشگاه تربیت مدرس در رابطه با روش بکار گرفته شده گفت: "در این پروژه، لایه‌نشانی تحت خلاءUHV، 10-10Mbar بر روی مواد پایه Si، SiO2 و Al2O3 صورت گرفته و پس از آن، در همان شرایط، 2 عملیات حرارتی تحت خلاء انجام شده است".
ایشان در آخر به کیفیت بالای محصولات تولیدی در این پروژه در مقایسه با نمونه‌های خارجی اشاره کرد.
جزئیات این کار تحقیقاتی در مجله Surface & Coatings Technology سال 2007 منتشر گردیده است.

تصویربرداری از تومورهای سرطانی با کمک نانوذرات

محققان ایندوساینین سبز را به‌عنوان رنگ‌های فلورسانت NIH در نانوذرات فسفات کلسیم زیست‌تخریب‌پذیر کپسوله کردند و از آن در ایجاد تصویر near infrared bioimaging بهتر استفاده كردند، همچنین به کمک نیروهای واندروالس قوی روش جدیدی را برای ساخت نانوذرات ابداع کردند.
یکی از اهداف فناوری‌نانو تشخیص هرچه زودتر بیماری‌هاست. روش‌های تصویربرداری امروزی(از قبیل X-Rays و MRI ) محدودیت‌هایی دارند كه از آن جمله می‌توان به اندازة تومور قابل تشخیص، عمل نفوذ اشعه در بدن و عوارض جانبی آنها اشاره كرد. روش دیگر تصویربرداری، زیست‌تصویربرداری نزدیک فروسرخ(near infrared bioimaging) است. این روش تهاجمی و بدون درد است و از اشعه‌های غیر یونیزان استفاده می‌کند. دانشمندان توانسته‌اند تا از طریق ادغام این روش با نانوذراتی که رنگ‌های فلورسانت NIH را پس می‌دهند(ایندوساینین سبز)، توموری را به قطر پنج سانتی‌متر در یک مدل موش زنده در طول یک دورة چهار روزه و بیشتر تشخیص دهند.
ایندوساینین سبزتنها مادة آلی NIH است که برای استفاده در بدن انسان به‌وسیلة FDA تأیید شده‌است. این ماده درون نانوذرات فسفات کلسیم با قطر 20 نانومتر کپسوله شد. نانوذرات فسفات کلسیم زیست‌تخریب‌پذیرند و برخلاف سایر ذراتی که در تصویربرداری و دارورسانی استفاده می‌شوند، به‌صورتی گسترده در جریان خون حضور دارند.
محققان دریافتند که نانوذرة آنها از لحاظ کارایی نوری دو برابر و از لحاظ پایداری نوری(photostability) پنج برابر ایندوساینین سبز است.
کار دیگر این محققان، ایجاد روش جدیدی برای ساخت نانوذرات است. این روش HPLC واندروالس نامیده شده‌است. در این فناوری از نیروهای واندروالس قوی که بین ذرات وجود دارد و جدا از نیروهای کوچک واندروالس بین مولکول‌ها، اتم‌ها و یون‌هاست، استفاده شد. قسمت سخت این سنتز، اطمینان از کلوخه نشدن ذرات و قسمت بحرانی آن، شستن تمام محصولات جانبی و اضافی است که در حین سنتز ایجاد می‌شود. در نهایت این سنتز سوسپانسیونی پاک از مولکول‌ها، اتم‌ها و یون‌های شاهد به دست می‌آید