• مشکی
  • سفید
  • سبز
  • آبی
  • قرمز
  • نارنجی
  • بنفش
  • طلایی
انجمن ها > انجمن کامپیوتر > صفحه اول بحث
لطفا در سایت شناسائی شوید!
کامپیوتر (بازدید: 582)
يکشنبه 15/12/1389 - 4:24 -0 تشکر 294495
روشی برای خنک کردن لپ تاب

روتکین در این باره می‌گوید: اگر به جای زیرلایه‌ی اکسید سیلیسیومی از یک ماده‌‌ دی‌الکتریک با ثابت بالاتر استفاده شود، حتی می‌توان پولاریتون‌های سطحی قوی‌تری را هم به ‌دست آورد.
محققان به تازگی روشی را برای خنک کردن لپ‌تاب ارائه کردند.
لپ‌تاب‌ها یکی از این فناوری‌های جهان مدرن امروز است که روزبه‌روز اندازه‌ آن‌ها کوچک و کوچک‌تر شده، در عین حال قابلیت آن‌ها افزایش می‌یابد؛ اما میلیاردها مدار الکترونیکی نیمه‌رسانای موجود در آن، گرمایی معادل یک اجاق خانگی ایجاد می‌کند که می‌تواند به ذوب شدن آن‌ها و از کار افتادن لپ‌تاب منجر شود.
اخیراً روتکین و همکارانش در مرکز تحقیقاتی IBM"s T.J. Watson به همراه محققانی از مؤسسه‌ یوفی‌سنپترزبورگ روسیه با توجه به سطح بالای پراکندگی الکترون‌ها در ترانزیستورهای نانولوله‌ کربنی غیر‌‌‌‌معلق و استفاده از جفت شدگی حرارتی فونون ـ پولاریتون سطحی (SPP) روش نوینی را برای حل این مشکل یافته‌اند.
در مدارهای نانولوله‌ای به‌دلیل غیر همگن بودن نانولوله‌ها و زیرلایه‌ی آن‌ها، آهنگ انتقال گرما بسیار کند است؛ لذا گرما به‌سختی به ماده‌‌ زیرین آن‌ها منتقل می‌شود‌ اما در این شیوه‌‌‌‌ جدید گرما به ‌راحتی به سطح زیرین هدایت شده، الکترون‌های داغ از آن پراکنده می‌شوند. این محققان نشان داده‌اند که جفت‌شدگی حرارتی SPP، رسانش مؤثر گرمایی را در فصل مشترک نانولوله و زیرلایه‌ی قطبی تا 2 برابر افزایش می‌دهد. حسن این روش آن است که فرایند خنک کردن به‌ طور طبیعی و بدون استفاده از هیچ بخش متحرک یا عامل خنک‌کننده‌ای انجام می‌شود.
در این روش پراکندگی الکترونی، موجی با عنوان «پولاریتون سطحی» ایجاد می‌کند. این پولاریتون‌های سطحی در محدوده‌‌ میدان نزدیک بالای زیرلایه آن قدر قوی هستند که الکترون‌های داغ به‌راحتی از آن‌ها پراکنده شده، در اثر پدیده‌‌ تونل‌زنی میدان نزدیک، انرژی خود را به نانولوله‌ی زیرین می‌دهند. به همین دلیل اغلب ابزارهای نیمه‌رسانایی ـ که امروزه ساخته می‌شوند ـ لایه‌ای از نانولوله یا نانوسیم درست روی زیر لایه‌ اکسید سیلیسیومی خود دارند.
روتکین در این باره می‌گوید: اگر به جای زیرلایه‌ی اکسید سیلیسیومی از یک ماده‌‌ دی‌الکتریک با ثابت بالاتر استفاده شود، حتی می‌توان پولاریتون‌های سطحی قوی‌تری را هم به ‌دست آورد.
این محققان با استفاده از مدل‌های میکروسکوپی کوانتومی توانسته‌اند میزان گرمای خروجی را برحسب تابعی از میدان الکتریکی، آلایندگی و دما به ‌دست آورند.
جزئیات این کار تحقیقاتی طی مقاله‌ای با عنوان «ساز و کار اساسی خنک کردن در الکترونیک نانولوله‌های کربنی» در شماره‌‌ مارس نشریه‌ «Nano Letters» (‌از نشریات پیشگام در حوزه‌ی فناوری نانو) منتشر شده ‌است.

يکشنبه 22/12/1389 - 19:59 - 0 تشکر 298258

خیلی جالب بود
ممنون zahedkola جان

 

غرق نعمتیم ؛ حالیمون نیست ...

الهی رضا برضائک!

 
برو به انجمن
انجمن فعال در هفته گذشته
مدیر فعال در هفته گذشته
آخرین مطالب
  • آلبوم تصاویر بازدید از کلیسای جلفای...
    آلبوم تصاویر بازدید اعضای انجمن نصف جهان از کلیسای جلفای اصفهان.
  • بازدید از زیباترین کلیسای جلفای اصفهان
    جمعی از کاربران انجمن نصف جهان، در روز 27 مردادماه با همکاری دفتر تبیان اصفهان، بازدیدی را از کلیسای وانک، به عمل آورده‌اند. این کلیسا، یکی از کلیساهای تاریخی اصفهان به شمار می‌رود.
  • اعضای انجمن در خانه شهید بهشتی
    خانه پدری آیت الله دکتر بهشتی در اصفهان، امروزه به نام موزه و خانه فرهنگ شهید نام‌گذاری شده است. اعضای انجمن نصف جهان، در بازدید دیگر خود، قدم به خانه شهید بهشتی گذاشته‌اند.
  • اطلاعیه برندگان جشنواره انجمن‌ها
    پس از دو ماه رقابت فشرده بین کاربران فعال انجمن‌ها، جشنواره تابستان 92 با برگزاری 5 مسابقه متنوع در تاریخ 15 مهرماه به پایان رسید و هم‌اینک، زمان اعلام برندگان نهایی این مسابقات فرارسیده است.
  • نصف جهانی‌ها در مقبره علامه مجلسی
    اعضای انجمن نصف جهان، در یك گردهمایی دیگر، از آرامگاه علامه مجلسی و میدان احیا شده‌ی امام علی (ع) اصفهان، بازدیدی را به عمل آوردند.